據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電在2nm制程節(jié)點(diǎn)上取得了重大突破，將首次引入Gate-all-around FETs晶體管技術(shù)。N2工藝還結(jié)合了NanoFlex技術(shù)，為芯片設(shè)計(jì)人員提供了前所未有的標(biāo)準(zhǔn)元件靈活性。相較于當(dāng)前的N3E工藝，N2工藝預(yù)計(jì)將在相同功率下實(shí)現(xiàn)10%至15%的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。

據(jù)悉，臺(tái)積電每片300mm的2nm晶圓的價(jià)格可能超過(guò)3萬(wàn)美元，高于之前預(yù)期的2.5萬(wàn)美元。相比之下，目前3nm晶圓的價(jià)格大概在1.85萬(wàn)至2萬(wàn)美元，而4/5nm晶圓的價(jià)格在1.5到1.6萬(wàn)美元之間。